Электрические и фотоэлектрические свойства GaP р-n-переходов и оценка перспектив их практического применения: (01.04.01): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН ТССР. Физ.-техн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Хайдаров, П. |
| Опубликовано: | Ашхабад , 1977 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr17669670000 | ||
| 005 | 20070424180335.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [77-12314а] |
| 100 | # | # | $a 20070424d1977 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a TM |
| 200 | 1 | # | $a Электрические и фотоэлектрические свойства GaP р-n-переходов и оценка перспектив их практического применения $e (01.04.01) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f АН ТССР. Физ.-техн. ин-т |
| 210 | # | # | $a Ашхабад $d 1977 |
| 215 | # | # | $a 17 с. |
| 300 | # | # | $a Список лит.: с. 15-17 |
| 686 | # | # | $a 01.04.01 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Хайдаров $b П. $g Пайгамберкулы |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070424 $g psbo |