Электрические и фотоэлектрические свойства GaP р-n-переходов и оценка перспектив их практического применения: (01.04.01): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН ТССР. Физ.-техн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Хайдаров, П. |
| Опубликовано: | Ашхабад , 1977 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||