Влияние ионного облучения на рекомбинационные процессы в излучающих Р-П-гетеропереходах на основе GaAsP: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Фусик, М. |
| Опубликовано: | Одесса , 1989 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr17634080000 | ||
| 005 | 20070424175855.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070424d1989 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Влияние ионного облучения на рекомбинационные процессы в излучающих Р-П-гетеропереходах на основе GaAsP $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова |
| 210 | # | # | $a Одесса $d 1989 |
| 215 | # | # | $a 20 с. |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Фусик $b М. $g Марек |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070424 $g psbo |