Влияние ионного облучения на рекомбинационные процессы в излучающих Р-П-гетеропереходах на основе GaAsP: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Фусик, М. |
| Опубликовано: | Одесса , 1989 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||