Исследование электрических и фотоэлектрических свойств диодных структур на основе арсенида галлия, легированного примесями с глубокими уровнями (Fe, Mn): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева

Сохранено в:
Шифр документа: 6386/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Фукс, Г. М.
Опубликовано: Томск , 1983
Физические характеристики: 21 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr17617760000
005 20070424175755.0
100 # # $a 20070424d1983 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование электрических и фотоэлектрических свойств диодных структур на основе арсенида галлия, легированного примесями с глубокими уровнями (Fe, Mn)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева 
210 # # $a Томск  $d 1983 
215 # # $a 21 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 19-21 (26 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Фукс  $b Г. М.  $g Галина Михайловна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070424  $g psbo