
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств диодных структур на основе арсенида галлия, легированного примесями с глубокими уровнями (Fe, Mn): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
Gespeichert in:
Format: | |
---|---|
1. Verfasser: | Фукс, Г. М. |
Veröffentlicht: | Томск , 1983 |
Beschreibung: |
21 с.
|
Sprache: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|