Исследование электрических и фотоэлектрических свойств диодных структур на основе арсенида галлия, легированного примесями с глубокими уровнями (Fe, Mn): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Фукс, Г. М. |
Опубликовано: | Томск , 1983 |
Физические характеристики: |
21 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|