Получение слоев GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и гетеропереходов GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x)-GaAš методом жидкостной эпитаксии и исследование их электрических и фотоэлектрических свойств: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН АзССР. Ин-т физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Оуш, П. Т. |
| Опубликовано: | Баку , 1975 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||