Получение слоев GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и гетеропереходов GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x)-GaAš методом жидкостной эпитаксии и исследование их электрических и фотоэлектрических свойств: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН АзССР. Ин-т физики

Saved in:
Шифр документа: АЯ280073,
Format: Thesis abstracts
Main Author: Оуш, П. Т.
Published: Баку , 1975
Physical Description: 19 с.
Language: Russian

ОФХ отдела книгохранения

All : 1 , available: 1 Available  Place a Hold

Information about the copies

Shifr Fond Holding place Copy status Reading room
АЯ280073 ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:2:54 AVAILABLE Рекомендованный ЧитЗал