Влияние легирования на экситонную и примесную люминесценцию Si, GaAs и AlGaAs при низких температурах: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева

Сохранено в:
Шифр документа: 67643/87,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Октябрьский, С. Р.
Опубликовано: М. , 1987
Физические характеристики: 24 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr17177330000
005 20070423143840.0
021 # # $a RU  $b [88-481а] 
100 # # $a 20070423d1987 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Влияние легирования на экситонную и примесную люминесценцию Si, GaAs и AlGaAs при низких температурах  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева 
210 # # $a М.  $d 1987 
215 # # $a 24 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 21-24 (24 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Октябрьский  $b С. Р.  $g Сергей Ростиславович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070423  $g psbo