Влияние легирования на экситонную и примесную люминесценцию Si, GaAs и AlGaAs при низких температурах: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Октябрьский, С. Р. |
Опубликовано: | М. , 1987 |
Физические характеристики: |
24 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr17177330000 | ||
005 | 20070423143840.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [88-481а] |
100 | # | # | $a 20070423d1987 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Влияние легирования на экситонную и примесную люминесценцию Si, GaAs и AlGaAs при низких температурах $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f АН СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева |
210 | # | # | $a М. $d 1987 |
215 | # | # | $a 24 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 21-24 (24 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Октябрьский $b С. Р. $g Сергей Ростиславович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070423 $g psbo |