Влияние легирования на экситонную и примесную люминесценцию Si, GaAs и AlGaAs при низких температурах: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Октябрьский, С. Р. |
| Опубликовано: | М. , 1987 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||