Влияние дислокаций на рекомбинационные процессы в излучающих P-N-переходах на основе GaP: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова

Сохранено в:
Шифр документа: 172792/91,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Ноах Наджип Мансоур
Опубликовано: Одесса , 1991
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr16916690000
005 20070420144730.0
100 # # $a 20070420d1991 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Влияние дислокаций на рекомбинационные процессы в излучающих P-N-переходах на основе GaP  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова 
210 # # $a Одесса  $d 1991 
215 # # $a 16 с. 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Ноах Наджип Мансоур 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070420  $g psbo