Влияние дислокаций на рекомбинационные процессы в излучающих P-N-переходах на основе GaP: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Ноах Наджип Мансоур |
Опубликовано: | Одесса , 1991 |
Физические характеристики: |
16 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|