Создание и исследование высокотемпературных диодов и динисторов на основе нелегированных слоев GaP: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 50842/88СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Насруллоева, М.
Опубликовано: Л. , 1988
Физические характеристики: 14 с.
Язык: Русский

ОФХ отдела книгохранения

Всего : 1 , доступно: 1 Доступно  Заказать

Информация об экземплярах

Шифр Фонд Место нахождения Статус экземпляра Читальный зал
50842/88СК ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:2:68 СВОБОДЕН Рекомендованный ЧитЗал