Электронномикроскопические исследования дефектной структуры эпитаксиальных пленок GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и светодиодов на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Нагдаев, Е. Н. |
| Опубликовано: | М. , 1980 |
| Физические характеристики: |
23 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||