Изолированные GaAs транзисторы на высокоомной подложке GaAs
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Мюнх, В. фон. |
| Опубликовано: | М. : Центр. науч.-исслед. ин-т техн.-экон. исслед. и науч. информации , 1966 |
| Физические характеристики: |
10 с. : илл.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Переводы иностр. лит. Серия Полупроводниковые приборы и микроэлектроника
Пер. № 52/ЭТ-1312 |
| 00000nam0a22000001ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr16407300000 | ||
| 005 | 20070412164509.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070412d1966 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Изолированные GaAs транзисторы на высокоомной подложке GaAs |
| 210 | # | # | $a М. $c Центр. науч.-исслед. ин-т техн.-экон. исслед. и науч. информации $d 1966 |
| 215 | # | # | $a 10 с. $c илл. |
| 225 | 2 | # | $a Переводы иностр. лит. Серия Полупроводниковые приборы и микроэлектроника $f М-во электронной пром-сти СССР $v Пер. № 52/ЭТ-1312 |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 10 |
| 675 | # | # | $a 621.382.3+[016.3] |
| 700 | # | 1 | $a Мюнх $b В. фон. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070412 $g psbo |