Изолированные GaAs транзисторы на высокоомной подложке GaAs
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Мюнх, В. фон. |
| Опубликовано: | М. : Центр. науч.-исслед. ин-т техн.-экон. исслед. и науч. информации , 1966 |
| Физические характеристики: |
10 с. : илл.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Переводы иностр. лит. Серия Полупроводниковые приборы и микроэлектроника
Пер. № 52/ЭТ-1312 |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||