Documents similaires

• Исследование электрофизических, фотоэлектрических свойств и рекомбинационных процессов в кристаллах InAs, In{н.инд.}(1-x)Ga{н.инд.}(x)As, InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y) и диодных структурах на основе InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y) [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 07.09.88: (01.04.10). - Л. : Казань, 1987. - 179 с.
  par: Салихов, Х. М.
  Publié: (1987)
• Получение слоев GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и гетеропереходов GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x)-GaAš методом жидкостной эпитаксии и исследование их электрических и фотоэлектрических свойств: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН АзССР. Ин-т физики. - Баку, 1975. - 19 с.
  par: Оуш, П. Т.
  Publié: (1975)
• Исследование оптических свойств кристаллов InP, AlSb и твердых растворов In{н.инд.}(x)Al{н.инд.}(1-x)Sb: (01.04.01): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Туркм. гос. ун-т им. А. М. Горького. - Ашхабад, 1973. - 15 с.
  par: Бекмедова, Н. Г.
  Publié: (1973)