Изучение перехода кристалл-стекло в халькогенидных полупроводниках методами неупругого некогерентного рассеяния нейтронов и аннигиляции позитронов: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН СССР. Уральск. науч. центр. Ин-т физики металлов. Специализир. учен. совет
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Михайлов, В. И. |
| Опубликовано: | Свердловск , 1977 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||