Физико-технические основы технологии эпитаксиальных твердых растворов Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As для полупроводниковых приборов: Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук: (05.12.18)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Масенко, Б. П. |
Опубликовано: | Таганрог , 1978 |
Физические характеристики: |
24 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr15330960000 | ||
005 | 20070403172214.0 | ||
100 | # | # | $a 20070403d1978 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Физико-технические основы технологии эпитаксиальных твердых растворов Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As для полупроводниковых приборов $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук $e (05.12.18) |
210 | # | # | $a Таганрог $d 1978 |
215 | # | # | $a 24 с. |
300 | # | # | $a Для служеб. пользования. В надзаг.: Таганрог. радиотехн. ин-т им. В. Д. Калмыкова. Библиогр.: с. 22-24 (17 назв.) |
686 | # | # | $a 05.12.18 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Масенко $b Б. П. $g Борис Павлович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070403 $g psbo |