Физико-технические основы технологии эпитаксиальных твердых растворов Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As для полупроводниковых приборов: Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук: (05.12.18)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ347776СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Масенко, Б. П.
Опубликовано: Таганрог , 1978
Физические характеристики: 24 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr15330960000
005 20070403172214.0
100 # # $a 20070403d1978 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Физико-технические основы технологии эпитаксиальных твердых растворов Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As для полупроводниковых приборов  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук  $e (05.12.18) 
210 # # $a Таганрог  $d 1978 
215 # # $a 24 с. 
300 # # $a Для служеб. пользования. В надзаг.: Таганрог. радиотехн. ин-т им. В. Д. Калмыкова. Библиогр.: с. 22-24 (17 назв.) 
686 # # $a 05.12.18  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Масенко  $b Б. П.  $g Борис Павлович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070403  $g psbo