Механизмы компенсации в эпитаксиальном GaAs и: многослойных структурах на его основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Тбил. гос. ун-т им. И. Джавахишвили
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Майсурадзе, Р. М. |
| Опубликовано: | Тбилиси , 1991 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr14866160000 | ||
| 005 | 20070327154916.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070327d1991 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a GE |
| 200 | 1 | # | $a Механизмы компенсации в эпитаксиальном GaAs и: многослойных структурах на его основе $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Тбил. гос. ун-т им. И. Джавахишвили |
| 210 | # | # | $a Тбилиси $d 1991 |
| 215 | # | # | $a 19 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 19 (6 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Майсурадзе $b Р. М. $g Русудан Михайловна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070327 $g psbo |