Механизмы компенсации в эпитаксиальном GaAs и: многослойных структурах на его основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Тбил. гос. ун-т им. И. Джавахишвили
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Майсурадзе, Р. М. |
| Опубликовано: | Тбилиси , 1991 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||