Фотоэлектрические и фотографические свойства полупроводников ZnSe и GaAs, обработанных поверхностным интерференционным фототравлением: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ397659СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Магерамов, А. Б.
Опубликовано: Баку , 1981
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr14797990000
005 20070327154635.0
100 # # $a 20070327d1981 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a AZ 
200 1 # $a Фотоэлектрические и фотографические свойства полупроводников ZnSe и GaAs, обработанных поверхностным интерференционным фототравлением  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Баку  $d 1981 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН АзССР, Ин-т физики. Библиогр.: с. 15-16 (8 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Магерамов  $b А. Б.  $g Акпер Бахрам оглы 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070327  $g psbo