Фотоэлектрические и фотографические свойства полупроводников ZnSe и GaAs, обработанных поверхностным интерференционным фототравлением: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Магерамов, А. Б. |
| Опубликовано: | Баку , 1981 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||