Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS-GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Лупин, В. М. |
| Опубликовано: | Томск , 1975 |
| Физические характеристики: |
15 с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr14650230000 | ||
| 005 | 20070322201527.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [75-9388а] |
| 100 | # | # | $a 20070322d1975 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS-GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева |
| 210 | # | # | $a Томск $d 1975 |
| 215 | # | # | $a 15 с. $c граф. |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Лупин $b В. М. $g Владимир Михайлович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070322 $g psbo |