Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS-GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Лупин, В. М. |
| Опубликовано: | Томск , 1975 |
| Физические характеристики: |
15 с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||