Микроструктура, фазовые превращения и дефекты в пленках SiO2, Si3N4, Al2O3 на кремнии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.06) / АН УССР, Ин-т полупроводников

Сохранено в:
Шифр документа: 12672/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Латута, В. З.
Опубликовано: Киев , 1986
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr13974030000
005 20220311093545.0
100 # # $a 20070313d1986 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Микроструктура, фазовые превращения и дефекты в пленках SiO2, Si3N4, Al2O3 на кремнии  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e (05.27.06)  $f АН УССР, Ин-т полупроводников 
210 # # $a Киев  $d 1986 
215 # # $a 15 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 13-15 (18 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 05.27.06  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Латута  $b В. З.  $g Валерий Зиновьевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070313  $g psbo