Влияние температуры облучения на кинетику накопления электронных центров в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов: Автореферат дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук / Томский гос. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Кравец, А. Н. |
| Опубликовано: | Томск : Изд. Томского ун-та , 1966 |
| Физические характеристики: |
14 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr13041680000 | ||
| 005 | 20070227161401.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [67-14359] |
| 100 | # | # | $a 20070227d1966 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Влияние температуры облучения на кинетику накопления электронных центров в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов $e Автореферат дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Томский гос. ун-т |
| 210 | # | # | $a Томск $c Изд. Томского ун-та $d 1966 |
| 215 | # | # | $a 14 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр. в конце текста |
| 700 | # | 1 | $a Кравец $b А. Н. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070227 $g psbo |