Влияние температуры облучения на кинетику накопления электронных центров в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов: Автореферат дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук / Томский гос. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Кравец, А. Н. |
| Опубликовано: | Томск : Изд. Томского ун-та , 1966 |
| Физические характеристики: |
14 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||