Исследование процессов формирования слоев нитрида кремния на Si (III) и Si (100) при облучении ионами азота низких энергий: Автореф. дис. на соиск. учен. степ канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / АН СССР, Дальневост. отд-ние, Ин-т автоматики и процессов управления
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Котляр, В. Г. |
| Опубликовано: | Владивосток , 1991 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr12960550000 | ||
| 005 | 20070227192507.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070227d1991 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование процессов формирования слоев нитрида кремния на Si (III) и Si (100) при облучении ионами азота низких энергий $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ канд. физ.-мат. наук $e (01.04.07) $f АН СССР, Дальневост. отд-ние, Ин-т автоматики и процессов управления |
| 210 | # | # | $a Владивосток $d 1991 |
| 215 | # | # | $a 17 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 15-17 |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Котляр $b В. Г. $g Василий Григорьевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070227 $g psbo |