Процессы переноса заряда и диэлектрической реалаксации в оксидных стеклообразных полупроводниках, содержащих пятиокись ванадия, и в тонкопленочных структурах на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Косинцев, В. И. |
| Опубликовано: | Томск , 1985 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||