Разработка физических основ технологии ядерного легирования полупроводниковых соединений A³B5: (На прим. CaAs и InAs). Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Моск. ин-т стали и сплавов
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Колин, Н. Г. |
| Опубликовано: | М. , 1985 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||