Разработка технологии выращивания высокоомных эпитаксиальных слоев InP в системе Me3InOEt2-PH3-H2-FeCl3: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (05.27.01) / АН СССР, Ин-т радиотехники и электроники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Кожин, В. В. |
| Опубликовано: | М. , 1989 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr12282830000 | ||
| 005 | 20230406120502.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070213d1989 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Разработка технологии выращивания высокоомных эпитаксиальных слоев InP в системе Me3InOEt2-PH3-H2-FeCl3 $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (05.27.01) $f АН СССР, Ин-т радиотехники и электроники |
| 210 | # | # | $a М. $d 1989 |
| 215 | # | # | $a 21 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 19-21 (12 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.27.01 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Кожин $b В. В. $g Валерий Васильевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070213 $g psbo |