Разработка технологии выращивания высокоомных эпитаксиальных слоев InP в системе Me3InOEt2-PH3-H2-FeCl3: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (05.27.01) / АН СССР, Ин-т радиотехники и электроники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Кожин, В. В. |
| Опубликовано: | М. , 1989 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||