Особенности фотолюминесценции эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия и твердых растворов Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН СССР. Сиб. отд-ние. Совет секции общей и прикл. физики. Объедин. учен. совет по физ.-мат. и техн. наукам
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Коваленко, В. Ф. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1976 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||