Исследование механизмов рассеяния носителей тока в n-Si, используемом для изготовления детекторов ядерных излучений: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. мат. наук: (01.04.07)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Кирнас, И. Г. |
| Опубликовано: | Киев , 1979 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr11965290000 | ||
| 005 | 20070207134434.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070207d1979 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Исследование механизмов рассеяния носителей тока в n-Si, используемом для изготовления детекторов ядерных излучений $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. мат. наук $e (01.04.07) |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1979 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН УССР. Ин-т ядер. исслед. Библиогр.: с. 15-16 (19 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Кирнас $b И. Г. $g Иван Григорьевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070207 $g psbo |