Исследование механизмов рассеяния носителей тока в n-Si, используемом для изготовления детекторов ядерных излучений: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. мат. наук: (01.04.07)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Кирнас, И. Г. |
| Опубликовано: | Киев , 1979 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||