Ионное легирование полупроводниковых соединений: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Качурин, Г. А. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1980 |
| Физические характеристики: |
37 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||