Физико-химические основы получения, легирование и свойства полупроводниковых халькогенидов таллия в твердой и жидкой фазе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра хим. наук: (02.00.04) / Моск. ин-т электрон. техники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Каримов, С. К. |
| Опубликовано: | М. , 1987 |
| Физические характеристики: |
49 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr11610750000 | ||
| 005 | 20070130175834.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070130d1987 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Физико-химические основы получения, легирование и свойства полупроводниковых халькогенидов таллия в твердой и жидкой фазе $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра хим. наук $e (02.00.04) $f Моск. ин-т электрон. техники |
| 210 | # | # | $a М. $d 1987 |
| 215 | # | # | $a 49 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 44-49 (53 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 02.00.04 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Каримов $b С. К. $g Самардин Каримович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070130 $g psbo |