Физико-химические основы получения, легирование и свойства полупроводниковых халькогенидов таллия в твердой и жидкой фазе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра хим. наук: (02.00.04) / Моск. ин-т электрон. техники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Каримов, С. К. |
| Опубликовано: | М. , 1987 |
| Физические характеристики: |
49 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||