Влияние локализаванных состояний на процессы переноса носителей заряда в халькогенидных стеклообразных полупроводниках систем Ge-Pb-S и As-S(-Se): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Ленингр. гос. пед. ин-т им. А. И. Герцена
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Каничев, М. Р. |
| Опубликовано: | Л. , 1990 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr11488870000 | ||
| 005 | 20070129142158.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070129d1990 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Влияние локализаванных состояний на процессы переноса носителей заряда в халькогенидных стеклообразных полупроводниках систем Ge-Pb-S и As-S(-Se) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Ленингр. гос. пед. ин-т им. А. И. Герцена |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: 15-16 (12 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Каничев $b М. Р. $g Михаил Рафаилович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070129 $g psbo |