Влияние локализаванных состояний на процессы переноса носителей заряда в халькогенидных стеклообразных полупроводниках систем Ge-Pb-S и As-S(-Se): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Ленингр. гос. пед. ин-т им. А. И. Герцена
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Каничев, М. Р. |
| Опубликовано: | Л. , 1990 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||