Исследование дефектных центров в электролюминесцентных диодах на основе GaAs и GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ398510,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Каминьски, П. Г.
Опубликовано: Одесса , 1981
Физические характеристики: 14 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr11459150000
005 20070129141844.0
100 # # $a 20070129d1981 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Исследование дефектных центров в электролюминесцентных диодах на основе GaAs и GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Одесса  $d 1981 
215 # # $a 14 с. 
300 # # $a В надзаг.: Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова. Библиогр.: с. 13-14 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Каминьски  $b П. Г.  $g Павел Георгиевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070129  $g psbo