Исследование дефектных центров в электролюминесцентных диодах на основе GaAs и GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Каминьски, П. Г. |
Опубликовано: | Одесса , 1981 |
Физические характеристики: |
14 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr11459150000 | ||
005 | 20070129141844.0 | ||
100 | # | # | $a 20070129d1981 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UA |
200 | 1 | # | $a Исследование дефектных центров в электролюминесцентных диодах на основе GaAs и GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
210 | # | # | $a Одесса $d 1981 |
215 | # | # | $a 14 с. |
300 | # | # | $a В надзаг.: Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова. Библиогр.: с. 13-14 |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Каминьски $b П. Г. $g Павел Георгиевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070129 $g psbo |