Исследование дефектных центров в электролюминесцентных диодах на основе GaAs и GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ398510,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Каминьски, П. Г.
Опубликовано: Одесса , 1981
Физические характеристики: 14 с.
Язык: Русский

ОФХ отдела книгохранения

Всего : 1 , доступно: 1 Доступно  Заказать

Информация об экземплярах

Шифр Фонд Место нахождения Статус экземпляра Читальный зал
АЯ398510 ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:2:60 СВОБОДЕН Рекомендованный ЧитЗал