
Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.18) / Моск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики
Saved in:
Format: | |
---|---|
Main Author: | Исавердиев, А. А. |
Published: | М. , 1989 |
Physical Description: |
19 с.
|
Language: | Russian |
ОФХ отдела книгохранения
All : 1 , available: 1 | Available Place a Hold | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|