Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.18) / Моск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Исавердиев, А. А. |
| Опубликовано: | М. , 1989 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr11142690000 | ||
| 005 | 20070115140715.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070115d1989 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.18) $f Моск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики |
| 210 | # | # | $a М. $d 1989 |
| 215 | # | # | $a 19 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 18 (10 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.18 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Исавердиев $b А. А. $g Андрей Альбертович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070115 $g psbo |