Поведение примесей и рекомбинация носителей заряда в легированных полупроводниках: Автореф. дис. на соиск. учен. степени д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Иглицын, М. И. |
| Опубликовано: | Л. , 1974 |
| Физические характеристики: |
29 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr10959440000 | ||
| 005 | 20070109140000.0 | ||
| 021 | # | # | $b [74-6157а] |
| 100 | # | # | $a 20070109d1974 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Поведение примесей и рекомбинация носителей заряда в легированных полупроводниках $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1974 |
| 215 | # | # | $a 29 с. |
| 300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 25-28 (35 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Иглицын $b М. И. $g Михаил Ильич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070109 $g psbo |