Поведение примесей и рекомбинация носителей заряда в легированных полупроводниках: Автореф. дис. на соиск. учен. степени д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Иглицын, М. И. |
| Опубликовано: | Л. , 1974 |
| Физические характеристики: |
29 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||