Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур с гомо- и гетеропереходами в системах GaP-GaAs и AlAs-GaAs: Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук: (01.049) / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Зимогорова, Н. С. |
| Опубликовано: | Л. , 1970 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr10638510000 | ||
| 005 | 20061219175038.0 | ||
| 021 | # | # | $b [70-21729а] |
| 100 | # | # | $a 20061219d1970 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур с гомо- и гетеропереходами в системах GaP-GaAs и AlAs-GaAs $e Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук $e (01.049) $f АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1970 |
| 215 | # | # | $a 17 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 17 (12 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.049 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Зимогорова $b Н. С. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20061219 $g psbo |