Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур с гомо- и гетеропереходами в системах GaP-GaAs и AlAs-GaAs: Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук: (01.049) / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Guardado en:
| Formato: | |
|---|---|
| Autor principal: | Зимогорова, Н. С. |
| Publicado: | Л. , 1970 |
| Descripción Física: |
17 с.
|
| Lenguaje: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Hacer reserva | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||