Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур с гомо- и гетеропереходами в системах GaP-GaAs и AlAs-GaAs: Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук: (01.049) / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Зимогорова, Н. С. |
| Опубликовано: | Л. , 1970 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||