Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном р-GaAs с примесными комплексами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
Guardado en:
| Formato: | |
|---|---|
| Autor principal: | Журавлев, К. С. |
| Publicado: | Новосибирск , 1991 |
| Descripción Física: |
15 с.
|
| Lenguaje: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Hacer reserva | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||